北京
国家知识产权局信息显示，粤芯半导体技术股份有限公司申请一项名为“一种掩膜组、量测标记结构、形成方法及尺寸量测方法”的专利，公开号CN121559807A，申请日期为2026年1月。
专利摘要显示，本申请公开了一种掩膜组、量测标记结构、形成方法及尺寸量测方法，涉及光刻工艺技术领域。掩膜组包括第一掩膜和第二掩膜，第一掩膜和第二掩膜分别用于深沟槽刻蚀工艺和中沟槽刻蚀工艺，第一掩膜和第二掩膜均设置有量测标记组，第一掩膜和第二掩膜的量测标记组的位置不重叠；量测标记组包括四个量测标记图形，量测标记图形分别设置于第一掩膜或第二掩膜的四个顶角，其中三个顶角的量测标记图形由另一顶角的量测标记图形旋转得到；量测标记图形包括外框图形和定位图形，外框图形半包围定位图形，四个量测标记图形拼接时对应的外框图形形成正方形。利用掩膜组在晶圆上刻蚀位置不重叠的量测标记结构，避免造成晶圆的刻蚀穿透，保证芯片的性能。
天眼查资料显示，粤芯半导体技术股份有限公司，成立于2017年，位于广州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本236559.1397万人民币。通过天眼查大数据分析，粤芯半导体技术股份有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目134次，财产线索方面有商标信息46条，专利信息1037条，此外企业还拥有行政许可129个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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