北京
国家知识产权局信息显示，北京集成电路装备创新中心有限公司申请一项名为“多晶硅刻蚀方法及半导体工艺设备”的专利，公开号CN121568530A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明提供了一种多晶硅刻蚀方法及半导体工艺设备，涉及半导体制造技术领域，为解决采用干法刻蚀去除多晶硅后存在表面粗糙度大的问题而设计。该多晶硅刻蚀方法包括：提供半导体器件，半导体器件包括衬底、形成于衬底上表面的栅极氧化层以及形成于栅极氧化层上表面的多晶硅层；干法刻蚀步，以刻蚀多晶硅层；以及吹扫步，其中，吹扫气体包括含氢气体和惰性气体。本发明可以降低多晶硅去除后的表面粗糙度。
天眼查资料显示，北京集成电路装备创新中心有限公司，成立于2019年，位于北京市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1113950万人民币。通过天眼查大数据分析，北京集成电路装备创新中心有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息116条，此外企业还拥有行政许可6个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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