中国突破性新材料：稀缺度超稀土百倍，引领半导体革命

中国在半导体领域不断发力，氧化镓作为第四代材料脱颖而出。全球镓产量每年只有五百吨左右，中国控制九成八的低纯度产能，比稀土三十万吨年产量稀缺百倍。

商务部和海关总署从2023年8月1日开始，对镓锗相关产品实施出口许可，出口商需提交用户和用途证明。这直接回应西方芯片限制，西方企业库存紧张，欧洲港口镓价一个月涨四成三。日本回收废料支撑产能，但六成原料仍靠中国进口。

西方国家起初低估管制影响，美国地质局数据显示，他们依赖进口维持雷达生产。两年过去，到2025年，替代链条仍未成型，美国从退役装备回收镓，成本高企。中国海关记录显示，2025年前10个月，对美镓锗出口为零。欧洲半导体厂延误生产，全球供应链调整加速。管制措施强调军民两用属性，确保资源用于合法领域，不针对特定国家，但实际打击了依赖链。

2024年12月3日，商务部升级公告，原则上不许镓锗锑超硬材料对美出口，对石墨实施严格审查。这回应美国芯片禁令，锑进口美国超六成来自中国。

2025年11月9日，管制暂停至2026年11月27日，允许非军事用途恢复出口。市场价格回落，但多元化趋势加强。西方投资回收技术，美国锑价涨三倍多。中国通过这些步骤维护资源安全，推动产业升级。

氧化镓禁带宽度达四点八至四点九电子伏特，高于碳化硅的三点二，提升高压承受力。巴利加优值是碳化硅十倍，导通电阻低，能量转换效率高。

损耗仅硅千分之一，适合新能源汽车功率模块，充电时间缩短至分钟级。军事雷达用氧化镓组件，探测距离

远，在干扰环境下稳定。相比第三代材料，氧化镓在高压场景表现更好，适用于电动车升级或战机系统。

中国科研团队推动氧化镓晶体生长。杭州镓仁半导体二零二五年三月五日推出全球首颗八英寸单晶，用自主铸造法。从二零二二年二英寸起步，每年升级尺寸，到二零二五年实现八英寸。铸造法工艺简便，成本低，便于放大，与现有硅基生产线兼容。浙江大学杭州国际科创中心孵化成果，提供技术支持。中国电科四十六所二零二三年制备六英寸单晶，专注军工。

西安邮电大学陈海峰团队在八英寸硅片上生长高质量外延层，解决散热难题。北京铭镓半导体掌握大尺寸晶体，对标国际。二零二五年一月，镓仁用垂直布里奇曼法实现四英寸导电掺杂，提升多样性。十二月，上海光机所与杭州富加镓业合作，用导模法首次制备八英寸晶体，提高稳定性。这些机构协作，推动实验室向产业转化。

到2026年，中国氧化镓产能覆盖全球需求大部分。富加镓业建六英寸生产线，年产万片。铭镓推出多规格衬底，首发四英寸产品。国内企业扩大投资，成本降至碳化硅几分之一。原材料镓全球产量五百吨，中国占比九成八，产业链完整。管制后，西方资源短缺，中国企业创新加速，占据市场主导。

中国掌控镓资源和氧化镓技术，改变半导体格局。西方需重构供应链，成本上升。中国扩大产能，应用于新能源汽车和军工，实现主导。未来，氧化镓将推动产业升级，西方技术壁垒减弱，中国话语权增强。