北京
国家知识产权局信息显示，济南晶正电子科技有限公司申请一项名为“一种图形化衬底基复合薄膜及其制备方法”的专利，公开号CN121548230A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本申请属于半导体技术领域，具体涉及一种图形化衬底基复合薄膜及其制备方法，制备方法包括步骤：准备图形化衬底和薄膜晶圆离子注入片，图形化衬底和薄膜晶圆离子注入片均具有键合面；图形化衬底为由不同材料复合而成的叠层结构，在至少任一层中设有图形化凹槽，图形化凹槽中设置填充层，填充层的材料与图形化凹槽所在层的材料不同；薄膜晶圆离子注入片包括自键合面起依次层叠设置的薄膜层、分离层和余质层；将图形化衬底与薄膜晶圆离子注入片通过键合面进行键合，形成键合体；对键合体进行退火处理，薄膜层自薄膜晶圆离子注入片剥离并保留在图形化衬底上，得到包括图形化衬底和薄膜层的复合薄膜；其中，键合前自键合面起对图形化衬底和/或薄膜晶圆离子注入片进行边缘挖槽处理，形成边缘槽；或键合前或键合后对薄膜晶圆离子注入片进行去边处理。本发明通过键合前对图形化衬底和/或薄膜晶圆离子注入片边缘挖槽或键合前后对薄膜晶圆离子注入片进行去边，消除边缘处应力的传递、改善键合边缘质量，避免膜缺，提升复合薄膜质量与有效面积。
天眼查资料显示，济南晶正电子科技有限公司，成立于2010年，位于济南市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2934.7324万人民币。通过天眼查大数据分析，济南晶正电子科技有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目99次，财产线索方面有商标信息12条，专利信息216条，此外企业还拥有行政许可22个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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