北京
国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“测试结构及测试方法”的专利，公开号CN121548276A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明提供了一种测试结构，包括：第一测试区的衬底内分为多条交替设置的有源区和浅沟槽隔离结构，第二测试区的衬底为有源区；多条间隔设置的字线和多条间隔设置的控制线，每条字线的两侧均具有两条控制线，字线和所述控制线之间通过隧穿氧化层以及偏移侧墙隔开，在浅沟槽隔离结构处，字线与浅沟槽隔离结构之间通过隧穿氧化层隔开，控制线通过栅间介质层浅沟槽隔离结构隔开，在有源区处，字线与有源区之间通过隧穿氧化层隔开，控制栅通过栅间介质层和浮栅结构的堆叠层与有源区隔开；第一连接结构至第四连接结构，依次连接所有第二测试区的所有控制线，所有第二测试区的所有字线，所有第一测试区的所有控制线和所有第一测试区的所有字线。
天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目930次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可429个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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