北京
国家知识产权局信息显示，武汉国科光领半导体科技有限公司申请一项名为“一种波长热调谐光子集成器件及其制备方法”的专利，公开号CN121546427A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本申请公开了一种波长热调谐光子集成器件及其制备方法，该器件包括衬底、调制器层、前取样光栅层、增益层、后取样光栅层、盖层和电接触层，盖层与电接触层共同构成浅脊波导结构，浅脊波导结构横向设在各个功能层上方中央位置，其通过按照预定的脊形条带图案对整个盖层与电接触层进行刻蚀形成，后取样光栅层中横向设置悬臂梁结构，悬臂梁结构包括悬臂梁及其两侧的空气槽，悬臂梁位于浅脊波导结构正下方，悬臂梁结构通过按照预定的悬臂条带图案对浅脊波导结构下方的后取样光栅层刻蚀形成；本申请中的技术方案通过浅脊波导结构与悬臂梁光栅结构的协同设计实现波长热调谐，不受材料载流子浓度限制，热响应快，显著降低了功耗。
天眼查资料显示，武汉国科光领半导体科技有限公司，成立于2023年，位于武汉市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本1516.3235万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉国科光领半导体科技有限公司参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息29条，此外企业还拥有行政许可3个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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