北京
国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“消除伪栅高度差的方法”的专利，公开号CN121548095A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明公开了一种消除伪栅高度差的方法，包括：步骤一、提供表面形成有伪栅极结构的半导体衬底。步骤二、形成金属硅化物，包括：形成第一金属层。进行金属硅化反应形成金属硅化物，金属硅化物表面和外部的第一金属层保留。步骤三、形成第一填充层。步骤四、采用光刻工艺形成第一光刻胶图形，第一光刻胶图形将各伪栅极结构的顶部区域打开。步骤五、依次对第一填充层、第一金属层和伪栅极结构进行刻蚀使各伪栅极结构的高度相平。步骤六、依次去除第一光刻胶图形和第一填充层。步骤七、去除第一金属层。本发明能在对不同区域的伪栅进行平坦化过程中降低对伪栅两侧的半导体衬底表面材料损伤例如降低PMOS的伪栅极结构两侧的嵌入式外延层如SiGe的损伤。
天眼查资料显示，上海华力集成电路制造有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2095次，专利信息2708条，此外企业还拥有行政许可397个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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