北京
近两日，国内市场流传“内存价格闪崩”的消息，引发资本市场与产业链高度关注。
在北美市场，部分存储龙头企业股价出现高位回调，叠加渠道端报价松动的传闻，使得“周期拐点提前”的讨论迅速升温。
不过，多方调研显示，当前内存现货价格确有小幅回调迹象，但幅度相对有限，尚未形成行业层面的系统性下跌。
部分细分品类甚至出现阶段性“补涨”行情。
渠道商普遍反馈，市场炒作情绪有所降温，但整体供需结构并未出现根本性逆转。
从市场结构看，本轮“闪崩”传闻更多集中在渠道现货市场，而非原厂合约市场。
业内人士指出，春节前渠道商普遍存在库存管理与现金流回笼需求，报价短期波动属常规现象。
此外，部分终端客户阶段性观望，也会在节前压制成交活跃度。但这与产业层面的供给失衡存在本质区别。
从全球供给端来看，三大存储原厂 Samsung Electronics、SK海力士、Micron Technology 目前仍维持相对审慎的产能策略。
尤其在 AI 算力需求带动下，HBM 等高端产品线成为重点投放方向，传统 DRAM 与 NAND 产能扩张节奏仍处于可控区间。
供给侧未出现明显放量迹象，是业内判断“难以出现闪崩”的重要依据。
需求侧方面，AI 服务器、高性能计算以及数据中心扩张仍构成结构性支撑。DDR5 渗透率持续提升，叠加 HBM 持续紧缺，推动高端存储产品维持相对坚挺。部分低规格产品出现报价松动，更可能是结构性价格再平衡，而非全面周期反转。
值得注意的是，北美资本市场对存储股的高位调整，也在一定程度上放大了市场情绪。
此前受 AI 叙事驱动，存储板块估值已显著修复。短期获利盘兑现叠加节前谨慎情绪，使得“闪崩”表述在舆论层面迅速扩散。但从基本面角度看，目前尚未出现库存重新大幅累积或原厂主动降价抢份额的迹象。
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