北京
国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法”的专利，公开号CN121548069A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明提供一种沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法。该方法包括：在半导体衬底上形成硬掩模层；对硬掩模层进行图案化以形成限定沟槽区域的开口；通过该开口，对半导体衬底进行倾斜离子注入以形成源极区；然后，以该硬掩模层为掩模，刻蚀形成沟槽；最后在沟槽内形成栅极结构。本发明通过在沟槽刻蚀前利用硬掩模开口进行源极自对准注入，省去了源极光刻掩模版及相关工序，简化了工艺流程；同时，由于注入在栅氧形成前完成，避免了对栅氧的损伤，提高了器件可靠性。
天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目930次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可429个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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