北京
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国家知识产权局信息显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司申请一项名为“一种高浓度臭氧发生系统及制备方法”的专利，公开号CN121516823A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本申请涉及一种高浓度臭氧发生系统及制备方法，该发生系统包括：多个发生室，每个发生室由多层臭氧产生结构并联组成；每个发生室包括进气接口和出气接口，每个发生室通过各自的进气接口和下一个发生室的出气接口串联连接，使得多个发生室呈串联设置，以使气体依次流经各发生室实现臭氧浓度递增。使得臭氧产出浓度更高。并通过每个发生室内集成的冷却模块，提高臭氧产生效率。
天眼查资料显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司，成立于2023年，位于沈阳市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本50000万人民币。通过天眼查大数据分析，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司参与招投标项目26次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息479条，此外企业还拥有行政许可16个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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