北京
国家知识产权局信息显示，深圳市芯电元科技有限公司申请一项名为“半导体器件的制备方法”的专利，公开号CN121532046A，申请日期为2026年1月。
专利摘要显示，本申请提供一种半导体器件的制备方法，涉及半导体技术领域，该方法包括：获取电路基板与半导体叠层结构的目标键合区域的区域特征信息；基于所述区域特征信息，确定第一固化特性层的目标图案；在所述目标键合区域上形成所述目标图案作为限流框架；在所述限流框架内，形成第二固化特性层作为填充层；将所述半导体叠层结构对准并放置于所述填充层上，施加键合压力；在所述键合压力下进行固化。通过在施加压力时，高粘度的第一层能精确引导和限制低粘度第二层的横向流动，最终通过协同固化形成均匀且低应力的可靠结合界面，解决了传统方法中填充不均、应力集中和可靠性差的问题。
天眼查资料显示，深圳市芯电元科技有限公司，成立于2011年，位于深圳市，是一家以从事零售业为主的企业。企业注册资本1845.233万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市芯电元科技有限公司参与招投标项目2次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息40条，此外企业还拥有行政许可11个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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