国家知识产权局信息显示,深圳市芯电元科技有限公司申请一项名为“半导体器件的制备方法”的专利,公开号CN121532046A,申请日期为2026年1月。
专利摘要显示,本申请提供一种半导体器件的制备方法,涉及半导体技术领域,该方法包括:获取电路基板与半导体叠层结构的目标键合区域的区域特征信息;基于所述区域特征信息,确定第一固化特性层的目标图案;在所述目标键合区域上形成所述目标图案作为限流框架;在所述限流框架内,形成第二固化特性层作为填充层;将所述半导体叠层结构对准并放置于所述填充层上,施加键合压力;在所述键合压力下进行固化。通过在施加压力时,高粘度的第一层能精确引导和限制低粘度第二层的横向流动,最终通过协同固化形成均匀且低应力的可靠结合界面,解决了传统方法中填充不均、应力集中和可靠性差的问题。
天眼查资料显示,深圳市芯电元科技有限公司,成立于2011年,位于深圳市,是一家以从事零售业为主的企业。企业注册资本1845.233万人民币。通过天眼查大数据分析,深圳市芯电元科技有限公司参与招投标项目2次,财产线索方面有商标信息2条,专利信息40条,此外企业还拥有行政许可11个。
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本文源自:市场资讯
作者:情报员
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