北京
国家知识产权局信息显示，中科芯电半导体科技（北京）有限公司申请一项名为“一种APD外延片击穿电压测试方法”的专利，公开号CN121531984A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明公开了一种APD外延片击穿电压测试方法，包括：（1）选择性腐蚀APD外延片，未被腐蚀的为待测外延层（上表面为P型半导体区域），已被腐蚀后的为剩余层（上表面为N型半导体区域）；（2）在P型半导体区域点铟形成上电极，在N型半导体区域点铟形成下电极；（3）参数分析仪正极探针连接下电极，负极探针连接上电极，从零开始逐步施加反向偏压，实时监测并记录电流发生雪崩式增大时的反向偏压值，即为击穿电压Vbr；（4）对同一APD外延片上的全部击穿电压值进行统计分析，获取最终击穿电压值。该方法有效克服了传统技术测试结果偏差大准确性低、周期长成本高的问题，可对外延片材料的质量进行快速的评估，主要用于工艺监控和材料筛选。
天眼查资料显示，中科芯电半导体科技（北京）有限公司，成立于2014年，位于北京市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本15120万人民币。通过天眼查大数据分析，中科芯电半导体科技（北京）有限公司参与招投标项目5次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息13条，此外企业还拥有行政许可10个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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