北京
国家知识产权局信息显示，杭州谱析光晶半导体科技有限公司申请一项名为“一种碳化硅-氮化镓异构集成高压功率器件结构”的专利，公开号CN121531774A，申请日期为2026年1月。
专利摘要显示，本发明涉及氮化镓晶体管技术领域，且公开了一种碳化硅‑氮化镓异构集成高压功率器件结构，包括由若干相互并列的MOS元胞组成的碳化硅器件，和由两个GaN结构组成的氮化镓器件，其中所述氮化镓器件位于碳化硅器件的背面；单个所述MOS元胞包括半导体外延层、MOS源极、MOS栅极以及覆盖在MOS栅极表面的MOS介质层；其中，所述半导体外延层从上向下分别包括有N衬底层和N扩散层。本发明通过将GaN HEMT的横向高电子迁移率特性与SiC MOSFET的纵向耐压优势相结合，在单一衬底上实现了两种宽禁带半导体的协同工作，该结构有效利用了SiC衬底的优异导热与耐压性能作为共同载体，同时通过器件级的串联耐压设计，使得整体击穿电压显著提升。
天眼查资料显示，杭州谱析光晶半导体科技有限公司，成立于2020年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本909.1341万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州谱析光晶半导体科技有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目23次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息185条，此外企业还拥有行政许可2个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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