北京
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国家知识产权局信息显示，南昌大学;江西彩虹光伏有限公司申请一项名为“一种低温焊料栅线硅异质结太阳电池及其制备方法”的专利，公开号CN121531846A，申请日期为2026年1月。
专利摘要显示，本发明涉及太阳电池技术领域，具体公开了一种低温焊料栅线硅异质结太阳电池及其制备方法。该太阳电池在硅异质结太阳电池表面与低温焊料栅线之间含有合金薄膜过渡层；所述的合金薄膜过渡层，其成份按质量百分比计为含铜和/或镍95‑100%、锡0‑5%；所述的合金薄膜过渡层，以离子溅射沉积方法生长，该过渡层厚度为20‑100nm；所述的低温焊料为低熔点合金焊料；所述的低熔点合金，其成份按质量百分比计为含锡40‑99%、铅0‑40%、铜0‑1%。应用本发明，无需在焊料中引入稀贵金属铟，可在保持丝网印刷栅线制备工艺优势条件下，实现一种SHJ太阳电池的无银制造。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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