【硬件资讯】HBM4罗生门！三星宣布完成量产，Nvidia为三星海力士放宽标准，美光辟谣边缘化！

新 闻一： 三星宣布HBM4正式量产，4nm基础裸片，速率达11.7Gbps，最高可至13Gbps

三星宣布，已经开始量产HBM4，并已向客户发货商用产品。其结合了4nm基础裸片（Base Die），并搭配1cnm（第六代10nm级别）工艺制造DRAM芯片，从量产初期就实现了稳定的良品率和行业领先性能，无需额外重新设计，确保了三星在早期HBM4市场的领导地位。

三星表示，这次的HBM4没有采用传统的既有成熟设计，而是向前迈出了一大步，采用了最先进的制程节点。通过利用自身的工艺技术竞争力及优化设计，三星能够保证充足的性能提升空间，在客户需要时满足对方不断增长的性能需求。

目前三星生产的HBM4速率达到了11.7Gbps，比起行业标准的8Gbps高出了约46%，是前一代HBM3E最高速率9.6Gbps的1.22倍，为HBM4的性能树立了新的标杆。三星的HBM4还能进一步提高至13Gbps，有效缓解随着AI模型不断扩展而加剧的数据瓶颈。此外，HBM4单堆栈的总内存带宽是HBM3E的2.7倍，最高可达3.3TB/s。

通过12层堆叠技术，三星为HBM4提供了从24GB到36GB不等的容量。未来三星还将通过16层堆叠技术，将容量扩展到最高48GB。

HBM4的接口位宽为2048位，相比于过往的HBM翻倍，带来了新的功耗和散热问题。为此三星将先进的低功耗设计方案集成到核心芯片中，采用低电压硅通孔（TSV）技术和电源分配网络（PDN）优化，HBM4在功耗效率上相比于HBM3E提升了40%，同时热阻降低了10%，散热能力提升了30%。

三星HBM4为数据中心环境带来卓越性能和能效还有高可靠性，助力客户实现GPU吞吐量最大化，并有效管理其总体拥有成本（TCO）。

原 文 链接：https://m.ithome.com/html/920323.htm

这效率比想象的还快啊，而且正如我们预料的一样，三星果然将自家的先进半导体生产技术用在了HBM内存基板上。这也算是一种内卷，我三星用了4nm，你们两家跟不跟？不跟的话，你们性能不如我，跟的话，你们成本不如我，这已经是三星的阳谋了啊！！

新 闻2：三星和SK海力士都面临产能和良品率问题，
英伟达或放宽HBM4规格要求

随着新一代Vera Rubin平台进入量产阶段，SK海力士和三星都将向英伟达供应HBM4。三星在昨天就已官宣量产HBM4，采用了4nm基础裸片（Base Die）搭配1cnm（第六代10nm级别）工艺制造DRAM芯片，并已向客户发货商用产品，领先于SK海力士和美光。

据TrendForce报道，性能是HBM4至关重要的指标，不过产能和良品率决定了下一代AI加速器是否能够按时提供稳定供应，而今年整体HBM4供应动态大概率主要取决于英伟达的采购策略，也就是订单的分配情况。按照最近一段时间的说法，SK海力士将占据Vera Rubin平台大部分HBM4订单，份额可能在60%至70%，超过了之前50%的预期。

虽然SK海力士延续了HBM3E时代的强势，拿到了过半的HBM4订单，但是早期的可靠性评估显示，SK海力士提供的HBM4想达到11Gbps级别速率有些困难，而SK海力士也一直在做改进。三星在英伟达的HBM4资格测试中处于领先位置，有着不错的性能表现，可是1cnm DRAM芯片的良品率约为60%，短时间内也无法大幅提高产能，即便三星加速扩大生产线，也不足以满足英伟达整体HBM4的需求。

市场已经更多地将关注点放到了英伟达的整体采购策略上，如果坚持11.7Gbps的规格，可能很难采购足够数量的HBM4用于Vera Rubin平台。有业内人士透露，英伟达可能放宽HBM4规格要求，除了11.7Gbps，还将采购速率降一档的10.6Gbps产品，以降低存储器制造商的生产难度，从而确保HBM4的稳定供应。

原文链接：https://m.expreview.com/104213.html

不过现在看来，其实供需市场已经倒挂了。此前，内存厂商都是靠着大客户来支撑，但现在大客户已经需要反过来兼容内存厂商的问题了。Nvidia还不是一般的大客户，可想而知其他客户的处境了……估计三星海力士就算使用降级片交付，大家也只能笑呵呵的接受了……

新 闻3： 美光驳斥被边缘化的传言，HBM4已提前一个季度量产，速率超过11Gbps

近日有报道称，美光在HBM4供应上出现了一些问题，导致落后于三星和SK海力士，英伟达可能会对原先规划的订单进行调整，将部分美光的订单转交给三星，三星的份额将从20%升至30%，而美光则相反，从30%降至20%。外界猜测，如果美光的HBM4问题严重，甚至可能被排除在HBM4供应商名单之外。

据TrendForce报道，近日在公开活动中，美光执行副总裁兼首席财务官Mark Murphy驳斥了美光被英伟达边缘化的传言，称这些报道都是“不准确的”，表示美光已经开始大规模生产HBM4，并向客户发货。

按照Mark Murphy说法，实际情况应该是HBM4生产提速，量产时间从第二季度前移至第一季度。同时Mark Murphy还强调，美光的HBM4良品率与预期相符，正在按计划推进，可以提供速率超过11Gbps的产品。

美光的HBM4采用了1ß (1-beta) DRAM工艺制造，为2048-bit接口，每个堆栈的带宽超过了2.0 TB/s，性能比上一代产品提高了60%以上，同时还内置自检（MBIST）功能。与美光的上一代HBM3E产品相比，这次HBM4的功率效率提高了20%以上。

随着英伟达Vera Rubin平台进入量产阶段，三星、SK海力士和美光在HBM4的争夺战也变得愈发激烈。

原文链接：https://m.expreview.com/104180.html

那其实大家可以看到，市场中心的明星已经是三星和SK海力士了，第三大DRAM厂商的美光怎么样了？？美光也很纠结自己被边缘化的事情，专门发信息回应自己并未边缘化，目前也已经完成了HBM4的量产准备，不知道美光能拿出什么样的成绩了！

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