北京
国家知识产权局信息显示，锐石创芯（深圳）半导体有限公司申请一项名为“低噪声放大器、射频前端模组及电子设备”的专利，公开号CN121530320A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本申请公开了一种低噪声放大器、射频前端模组及电子设备，该低噪声放大器包括器件区、金属层以及连接结构，器件区设有第一开关管、第二开关管和第一放大管。金属层叠置于器件区上，连接结构连接在器件区和金属层之间，连接结构被配置为：将第一开关管的第二端连接至金属层中的第一开关端口，将第二开关管的第二端连接至金属层中的第二开关端口；将第一放大管的输出端连接至金属层中的第一信号端口。其中，第一开关端口和第二开关端口中的其中一个与第一信号端口相连接，另一个未接入低噪声放大器的电路中。本申请可以对低噪声放大器的电路进行灵活调整，使得对低噪声放大器的芯片设计更加灵活，以丰富低噪声放大器的应用场景。
天眼查资料显示，锐石创芯（深圳）半导体有限公司，成立于2024年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本3600万人民币。通过天眼查大数据分析，锐石创芯（深圳）半导体有限公司专利信息197条，此外企业还拥有行政许可2个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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