北京
国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“半导体器件结构及其制造方法”的专利，公开号CN121510647A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体器件结构及其制造方法。该方法包括：在包括器件层的半导体衬底上形成牺牲层结构；在牺牲层结构及其周围形成栅极材料层；对栅极材料层进行各向异性刻蚀，以在牺牲层结构的侧壁上形成侧墙；去除牺牲层结构，使侧墙保留在半导体衬底上；以及以侧墙作为硬掩膜，对器件层的顶层进行自对准刻蚀，从而形成栅极结构。本发明通过侧墙工艺来定义栅极的临界尺寸，无需依赖高精度光刻设备即可低成本地制造小尺寸栅极。同时，自对准的刻蚀流程简化了工艺、降低了成本，并消除了掩膜对准误差，提高了器件性能的一致性。该方案可用于制造高性能的氮化镓(GaN)基器件或其他半导体器件。
天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目930次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可429个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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