北京
国家知识产权局信息显示，重庆芯联微电子有限公司申请一项名为“改善ALD填充沟槽覆盖性能的方法及其设备”的专利，公开号CN121496362A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本发明提供一种改善ALD填充沟槽覆盖性能的方法及其设备，通过在ALD设备的反应腔内设置射频电极，可对半导体基底表面进行等离子体预处理，以降低半导体基底的表面能，提升前驱体吸附均匀性；将单次脉冲拆分为多次子脉冲，且在子脉冲间隔时进行吹扫处理，可促进前驱气体及反应气体向深槽底部渗透；且在脉冲阶段采用升压，在吹扫阶段采用降压，利用压差加速副产物排除；进一步的，也可通过射频电极对生成的薄膜表面进行等离子体预处理，以降低薄膜的表面能；还可通过射频电极或通过在反应腔外设置的辅助射频电极对前驱气体和/或反应气体进行等离子体活化处理，提升吸附均匀性。本发明可制备具有良好台阶覆盖率及膜厚均匀的薄膜。
天眼查资料显示，重庆芯联微电子有限公司，成立于2023年，位于重庆市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本870000万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆芯联微电子有限公司参与招投标项目937次，专利信息242条，此外企业还拥有行政许可12个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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