北京
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国家知识产权局信息显示，北京科技大学、中广核研究院有限公司申请一项名为“一种显著提高陶瓷涂层高温界面结合强度的方法”的专利，公开号CN121496320A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本发明提供一种显著提高陶瓷涂层高温界面结合强度的方法，涉及陶瓷涂层的技术领域。所述显著提高陶瓷涂层高温界面结合强度的方法包含基体表面清洗、过渡层的磁控溅射制备、陶瓷涂层的磁控溅射制备。本发明通过在基片上先沉积Ti过渡层并增加Ti过渡层的厚度，确保陶瓷涂层与金属基体平缓过渡，同时通过对磁控溅射过程沉积温度、溅射速率以及Ti过渡层的厚度的调控，减小内应力以及避免界面非晶薄层的形成，制备出了高温高结合强度的陶瓷涂层，避免高温环境下界面部分结晶形成无序非晶‑纳米晶结构，脆化界面。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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