北京
国家知识产权局信息显示，深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法”的专利，公开号CN121510609A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，本公开提出了一种形成半导体结构的方法，涉及半导体技术领域，该方法包括：提供衬底结构，包括：位于衬底上相邻的两个鳍片，位于每个鳍片的侧面的隔离区，以及横跨两个鳍片且位于隔离区上的栅极结构，其中两个鳍片之间具有位于栅极结构的第一侧的第一间隙；形成覆盖衬底结构的表面的绝缘层；在形成绝缘层后，形成填充部，填充部包括填充第一间隙的第一填充部，第一填充部通过绝缘层与两个鳍片间隔开；去除每个鳍片位于栅极结构的第一侧和第二侧的部分，从而在每个鳍片中分别形成凹陷；以及在每个鳍片的凹陷中外延半导体材料以在每个鳍片上形成第一电极区和第二电极区，其中，两个鳍片上的第一电极区相连，两个鳍片上的第二电极区相连。
天眼查资料显示，深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司，成立于2021年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本712800万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司参与招投标项目21次，财产线索方面有商标信息50条，专利信息108条，此外企业还拥有行政许可215个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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