北京
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国家知识产权局信息显示，光硕应用材料有限公司申请一项名为“电阻器的制造方法及电阻器”的专利，公开号CN121506652A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，本发明公开了一种电阻器的制造方法及电阻器。所述制造方法包括：通过冷喷涂工艺在金属基材的上表面形成金属涂层；进行退火工艺；以及进行第一压延工艺以得到电极涂层，其中第一压延工艺的压下率大于或等于0并且小于10％。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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