北京
国家知识产权局信息显示，内蒙古清橙半导体科技有限公司申请一项名为“一种用于合成碳化硅粉料的坩埚组件及其合成方法”的专利，公开号CN121490659A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本发明属于半导体材料制备技术领域，具体涉及一种用于合成碳化硅粉料的坩埚组件及其合成方法。所述坩埚组件包括外坩埚、装料坩埚和支撑环。外坩埚由等静压石墨制成，其内腔侧壁设导气槽，底部和顶部坩埚盖开设通气孔；装料坩埚由多孔石墨制成并容置于外坩埚内；支撑环设于两者之间，其支撑面设有凹槽。本发明通过底部通气孔、支撑环凹槽、外坩埚侧壁导气槽及顶部通气孔的协同作用，形成了一条“底部进气‑侧壁导流‑顶部排气”的气体通路。该设计能强制排出原料吸附的氮气等杂质，有效降低粉料氮含量；同时利用气体流动带走坩埚侧壁与底部过量热量，显著改善合成热场均匀性，避免粉料局部过度碳化，从而同步提升碳化硅粉料的纯度与一致性。
天眼查资料显示，内蒙古清橙半导体科技有限公司，成立于2024年，位于呼和浩特市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，内蒙古清橙半导体科技有限公司专利信息2条。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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