报道：英伟达或放宽HBM4规格要求，因三星、SK海力士面临产能和良率限制

全球AI算力霸主英伟达正面临供应链现实的严峻考验。在下一代AI加速器量产时间表逼近之际，由于主要存储芯片供应商在产能扩张和良率提升上遭遇双重阻力，英伟达可能被迫调整其采购策略，放宽对第四代高带宽内存（HBM4）的技术规格要求，优先确保供应稳定性而非极致性能。

据ZDNet报道，尽管三星电子近期宣布HBM4即将量产出货，在进度上略微领先于竞争对手SK海力士和美光，但整体市场供应动态仍取决于英伟达的最终采购决策。目前的迹象表明，即使是行业领先者，要在满足英伟达设定的11.7Gbps最高规格的同时保证大规模供货，仍面临巨大挑战。

这一潜在策略调整反映了当前半导体供应链的紧张局势。如果英伟达坚持最高性能标准，其下一代代号为Rubin的AI芯片量产可能因关键零部件短缺而受阻。市场目前普遍预期，英伟达将采取更为务实的做法，即在采购最高规格HBM4的同时，并行采购略低规格的版本，以平衡性能需求与供应链安全。

这一转变对投资者而言至关重要，它不仅关系到英伟达新品的上市节奏，也将直接重塑存储芯片市场的竞争格局。随着今年存储芯片短缺状况预计比去年更为严峻，能否在放宽后的规格下实现稳定交付，将成为三星、SK 海力士等供应商争夺市场份额的关键。

三星虽获认证优势，但量产良率仍存隐忧

尽管三星电子在英伟达HBM4的资格测试中处于领跑地位，但这并不意味着供应问题已迎刃而解。市场关注的焦点已从单纯的出货速度转向整体的供应能力。报道指出，如果英伟达严格执行11.7Gbps的规格标准，三星目前的产能恐难以满足Rubin芯片大规模量产的需求。

制约因素主要来自良率和产能。截至本月，三星1c DRAM的良率估计在60%左右，若计入先进的后端封装工艺，有效良率将进一步下降。此外，三星去年底的1c DRAM月产能约为6万至7万片晶圆，这一规模不足以覆盖英伟达对HBM4的全部需求。虽然三星正在推进新投资和生产线转换，但产能爬坡尚需时日，短期内难以大幅提升供应量。

SK 海力士面临性能达标挑战，硬件优化仍在进行

作为英伟达HBM供应体系中的另一核心玩家，SK 海力士同样面临技术阻力。据ZDNet报道，尽管SK海力士已获得英伟达HBM4约60%的分配份额，但在早期的可靠性评估中，其产品在达到11Gbps级别的性能表现上遇到了困难。

报道称，SK海力士目前正致力于通过硬件改进来解决这些性能短板，但最终解决方案尚未得到确认。这一技术瓶颈进一步增加了英伟达单一依赖最高规格产品供应的风险，迫使其不得不重新评估对不同供应商的技术要求。

双轨采购策略或成定局，确保存储芯片供应稳定性

鉴于上述供应端的现实困境，英伟达极有可能采取灵活的采购策略。据ZDNet引述行业消息人士指出，英伟达不仅会采购11.7Gbps的顶级HBM4，还可能并行采购10.6Gbps等略低规格的版本。

这一策略调整旨在降低供应商的技术压力，使得三星、SK 海力士及美光三家主要厂商更有可能实现规模化供货。报道进一步指出，在存储芯片短缺日益加剧的大背景下，英伟达适度放宽HBM4性能标准被广泛视为确保持续供应稳定性的必要举措。这对确保下一代AI基础设施按时交付至关重要。