北京
国家知识产权局信息显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司申请一项名为“掩膜结构及其形成方法”的专利，公开号CN121496322A，申请日期为2025年3月。
专利摘要显示，一种掩膜结构及其形成方法，其中形成方法包括：在所述衬底上形成第一掩膜材料层，所述第一掩膜材料层的材料具有第一硬度；在所述第一掩膜材料层上形成第二掩膜材料层，所述第二掩膜材料层的材料具有第二硬度，所述第二硬度大于第一硬度；在所述第二掩膜材料层上形成第三掩膜材料层，所述第三掩膜材料层的材料具有第三硬度，所述第三硬度小于第二硬度。所述掩膜结构与衬底的刻蚀选择比较高，且掩膜结构中形成的掩膜开口的形貌较好。
天眼查资料显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司，成立于2004年，位于上海市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本62614.5307万人民币。通过天眼查大数据分析，中微半导体设备（上海）股份有限公司共对外投资了29家企业，参与招投标项目79次，财产线索方面有商标信息76条，专利信息1641条，此外企业还拥有行政许可77个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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