北京
国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构的形成方法”的专利，公开号CN121510610A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，一种半导体结构的形成方法，包括：在衬底上形成凸立的伪鳍部后，在伪鳍部露出的衬底上形成初始隔离层，初始隔离层顶部与伪鳍部顶部相齐平，伪鳍部的材料与初始隔离层的材料具有刻蚀选择比，去除伪鳍部，在初始隔离层中形成凹槽，在凹槽中形成器件鳍部。与通过光刻工艺和刻蚀工艺直接在衬底上形成器件鳍部的方案相比，由于形成伪鳍部的材料选择性较多，因此，可以与后续制程工艺更好地兼容，从而提高伪鳍部的宽度尺寸的均一性，之后通过去除伪鳍部，在初始隔离层中形成凹槽，即可以通过伪鳍部的宽度调节初始隔离层围成凹槽的宽度，相应提高形成凹槽的宽度尺寸的均一性，进而可以提高后续在凹槽中形成的器件鳍部的宽度尺寸的均一性。
天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目129次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可447个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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