北京
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国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体存储器装置”的专利，公开号CN121510586A，申请日期为2025年4月。
专利摘要显示，本申请涉及一种半导体存储器装置。该半导体存储器装置可以包括：存储块，包括多个页面；外围电路，被配置为通过将编程电压、通过电压和校准通过电压分别施加到多条字线来对存储块执行编程操作，该多条字线分别连接到多个页面；以及控制逻辑，被配置为在编程操作期间控制外围电路基于从多个页面之中选择的页面的位置来改变要施加到最下面字线的校准通过电压的电位，该最下面字线连接到多个页面之中与半导体衬底或源极选择晶体管相邻的页面。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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