北京
国家知识产权局信息显示，江湾世纪（苏州）半导体科技有限公司申请一项名为“一种基于半导体晶体管的记忆突触器件及其制备方法”的专利，公开号CN121503555A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明公开了一种基于半导体晶体管的记忆突触器件，包括衬底、栅电极、栅介质层、半导体沟道与电荷俘获层、源电极和漏电极；其中，栅电极设置在衬底之上，栅介质层设置在栅电极之上，半导体沟道与电荷俘获层设置在栅介质层之上，设置为兼具沟道导通和电荷俘获功能的半导体薄膜，源电极和漏电极设置在半导体沟道与电荷俘获层的两端。本发明提供了一种基于半导体晶体管的记忆突触器件及其制备方法，该器件结构简单、与CMOS工艺兼容性好，为构建高能效神经形态计算系统提供了一种可行的硬件基础，同时其制备工艺成熟。
天眼查资料显示，江湾世纪（苏州）半导体科技有限公司，成立于2025年，位于苏州市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本655.5555万人民币。通过天眼查大数据分析，江湾世纪（苏州）半导体科技有限公司共对外投资了1家企业，专利信息2条。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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