英特尔联手软银开发新型内存技术ZAM

在终止Optane内存产品四年后，英特尔重新进入内存业务领域，与软银子公司合作推出新的"ZAM"内存技术。

什么是ZAM内存技术

ZAM即Z角度内存（Z-Angle Memory），由英特尔和软银旗下Saimemory子公司联合开发。据报道，ZAM内存技术的开发始于美国能源部发起的先进内存技术（AMT）计划，目标是英特尔所称的下一代DRAM封装项目。

Saimemory成立于2024年12月，专门开发面向AI的下一代半导体内存技术，作为高带宽内存（HBM）的替代方案。该公司CEO是东芝半导体40年资深专家山口英也，CTO史蒂芬·莫雷恩曾是英特尔高级首席工程师和系统硅架构师。

开发时间表与商业化计划

不过，产品问世还需要相当长的时间。英特尔全球战略合作总监萨纳姆·马斯鲁尔在博客文章中概述了相关计划：运营预计将在2026年第一季度开始，原型产品将在2027年推出，商业化产品要到2030年才能面世。

技术特点与市场定位

虽然英特尔没有明确表示，但这种内存设计与GPU加速器和AI数据中心使用的HBM几乎完全相同。HBM直接位于GPU芯片上，可供GPU立即访问，这与插在主板上的标准DRAM内存条不同。

HBM比DDR内存快得多，但生产成本也高得多。由于利润率远高于标准DRAM，美光、三星和SK海力士这三大内存制造商都倾向于生产HBM产品。

行业专家观点

专注内存市场的客观分析公司总裁吉姆·汉迪对这一宣布提出了许多质疑，首先是英特尔距离产品出货还很遥远。

他表示："我不会说这是空中楼阁，但对于一个要到2030年才能量产的产品来说，这个宣布确实太早了。我能理解其模糊性，但公告中没有任何内容能让人相信这将是一个巨大的成功。"

Q&A

Q1：ZAM内存技术是什么？有什么特点？

A：ZAM即Z角度内存，是英特尔和软银子公司Saimemory联合开发的新型内存技术。它作为高带宽内存HBM的替代方案，专门面向AI应用，设计与GPU加速器中使用的HBM几乎相同，比DDR内存速度更快但成本更高。

Q2：ZAM内存什么时候能够商用？

A：根据英特尔的计划时间表，ZAM内存的商业化还需要较长时间。运营将在2026年第一季度开始，2027年推出原型产品，真正的商业化产品要等到2030年才能面世。

Q3：为什么英特尔要重新进入内存市场？

A：英特尔在终止Optane内存产品四年后重新进入内存业务，主要是看中AI和数据中心市场对高性能内存的需求。HBM等高端内存产品利润率远高于标准DRAM，这也是三大内存制造商都在重点发展的方向。