美光目标价“立涨”100美元？大摩：AI存储需求太火爆，无惧任何打击！

财联社2月12日讯（编辑 黄君芝）近段时间以来，“存储涨价风暴”越刮越猛，美国存储芯片大厂美光科技屡获华尔街大行“点名赞赏”、并上调评级和目标价。继瑞银、瑞穗、汇丰和德银之后，摩根士丹利成为了最新一家青睐美光的投行。

在周三（11日）最新发布的研报中，大摩将美光的目标价从350美元大幅上调至450美元，并维持“超配”评级。与此同时，该行还将美光列为半导体板块首选标的。而这背后的原因也极其简单——人工智能（AI）需求太火爆！

“自美光上次发布业绩指引以来，存储芯片价格大幅上涨，所有终端市场均出现供应短缺局面，我们据此上调公司盈利预期。在AI需求保持强劲的背景下，HBM4供应担忧、中国市场相关顾虑及资本支出担忧均不构成核心影响因素。”报告称。

一直短缺 = 一直涨价

过去12个月，DRAM市场已实现显著增长，但未来增长潜力仍值得期待。大摩认为，今年一季度将迎来新一轮大幅涨价，且2026年供应增长有限，难以缓解当前严重的供需短缺局面，预计全年价格将持续上行。

该行进一步解释称，全球存储芯片持续供应短缺推高了动态随机存取存储器（DRAM）/NAND闪存的价格——DDR5现货价格年内大涨30%、较1月合约价高出130%。大摩强调，“这意味着主流产品价格可能再次翻倍”。

简单来说，只要供需缺口无法弥合，这场涨价风暴就不会停止，而AI需求的持续高增长又进一步扩大了供需缺口。

具体而言，大摩写道：

从需求端来看，当前存储芯片生产商库存处于极低水平，客户即使愿意支付溢价也难以获得足够的供应。无论是无法获得足够供应的消费PC厂商等，还是优先获得增量供应的核心客户，均无法建立库存——核心客户甚至愿意支付溢价，提前30天锁定供应；

从供应端来看，晶圆厂的产出增长极其缓慢，大摩预计到2026年底，包括合肥长鑫（CXMT）、海力士M15和三星P4L在内，晶圆投片量的同比增速仅为7%。这反映出晶圆厂产能短期内难以跟上需求。

AI需求爆发式增长：预计到2026年底，英伟达季度营收将再增加300亿美元，AMD数据中心业务季度营收将翻倍至100亿美元，博通半导体业务季度营收将翻倍至约250亿美元，再加上Marvell和英特尔合计增加的10亿美元季度营收，未来12个月存储行业需支撑的年化营收增量将接近2000亿美元——这一规模超过2020年整个逻辑半导体（如CPU、GPU）市场的规模，且由于HBM对晶圆需求更高，DRAM供应商需投入更多资本支出才能跟上需求增长。

“基于此，我们认为，仅仅因担忧2027年下半年供应增长而卖出股票为时尚早。”报告称。

涨价=盈利能力大增

这股“涨价风暴”带来最直接的好处就是盈利能力大增。大摩预计，美光在2026日历年（CY26）的每股收益（EPS）将飙升至52.53美元。

大摩在报告中进一步指出，美光将于本周晚些时候在投资者会议上发言，市场普遍预期其业绩将达到或超过第二财季初始时发布指引的上限——营收环比增长37%，“这背后隐含的是平均销售价格（ASP）约30%的环比增长”。

大摩直言，这一预期过于保守，因为竞争对手的数据更加惊人：闪迪刚刚给出的指引显示其NAND ASP环比暴涨60%，而覆盖三星和海力士的团队也分别模型预测Q1常规DRAM价格将上涨48%和55%。

“值得注意的是，上季度初的情况与当前相似，美光当时并未提供新的具体指引，而是确认市场环境改善程度远超预期。我们预计本次会议美光将延续此类表述——若未提供具体指引，股价可能出现短期回调，但这将构成买入机会。”报告补充道。

有鉴于此，大摩强调，当前价格走势为盈利预期持续上修奠定了基础，而市场大大低估了当前存储芯片市场的紧张程度。目前市场普遍预期，美光盈利将在2027年底达到峰值（约12美元/股），而这一目标仅需平均售价（ASP）较当前指引水平上涨20%-25%即可实现。

该行分析师在报告中写道：“但实际情况是，2026年一季度价格涨幅已远超指引隐含水平，因此我们判断，未来18个月美光盈利可能持续超出市场普遍预期。”

“此外，美光现金流表现强劲，预计每季度将产生约100亿美元现金流，一年内现金流规模将达到当前企业价值（EV）的10%，再加上潜在的大额预付款，公司资产负债表现金储备将显著增加。”他们补充道。

打破“空头谣言”

首先，针对市场担忧的中国存储芯片公司可能带来的冲击，大摩认为这种担忧被夸大了。

其次是HBM4的供应问题。

AI热潮推动了市场对高带宽内存（HBM）的需求激增。需要知道的是吗，HBM通过堆叠DRAM制成，对于先进AI芯片——如英伟达设计的芯片——至关重要。美光与韩国的SK海力士、三星电子并称全球HBM “三巨头”，三家企业合计垄断了全球97%以上的HBM市场份额。

HBM是美光增长故事的核心组成部分，也是市场愿意给予其更高估值的关键逻辑。但目前来看，DDR5市场价格上涨势头更猛，已成为更具吸引力的市场。而市场对美光HBM4进展存在担忧，但大摩判断这不会对公司盈利产生负面影响。

该行指出，美光早在去年12月的财报中就表示，已完成HBM4产品认证，并预计在2026年第二季度（C2Q26）实现批量出货，这一时间表没有变化。

“即便美光在HBM4产能爬坡上遇到未预见的困难，HBM3e仍占据市场主流，且拥有广泛的ASIC客户基础，不会对盈利造成负面影响。英伟达HBM4的早期主要量产份额历来属于海力士，这在预期之内，并不构成美光的基本面利空。”报告称。

估值

报告显示，大摩采用了“跨周期（through cycle）估值方法”对美光进行估值，并直言“基于传统的周期性思维来评估美光是错误的”。

具体而言，该行解释称：此前目标价350美元是基于“25倍周期内每股收益（14美元）”测算的；而随着2026年每股收益预期突破50美元，我们将“跨周期每股收益”预期上调至18美元——这一水平虽较历史均值显著溢价，但仍不足未来12个月预期盈利的一半。

大摩总结称，因HBM带来的AI独特红利，大摩维持给予美光25倍的市盈率倍数。18美元的跨周期EPS乘以25倍的估值，直接导向了450美元的新目标价。

最后，大摩还预演了如下三个场景：

牛市场景（600美元）：基于30倍“跨周期每股收益”（20美元）测算。得益于规模效应、AI产品占比提升及新产品成本优化，毛利率持续改善；HBM晶圆强度（WaferIntensity）推动需求持续超过供应，美光在HBM领域巩固性能领先地位，价格压力进一步缓解。

基本预期（450美元）：基于25倍“跨周期每股收益”（18美元）测算。18美元的“跨周期每股收益”较过去8年平均水平显著溢价（主要得益于HBM业务）；25倍估值倍数反映市场对HBM机遇的乐观预期，处于半导体板块较高水平。

熊市场景（216美元）：基于16倍“跨周期每股收益”（13.5美元）测算。2026年底存储行业进入下行周期，年初需求强劲实则为客户库存积压；盈利峰值不及预期后，估值倍数大幅压缩。