三星公布HBM新路线图

公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。

三星电子设备解决方案（DS）事业部总裁兼首席技术官（CTO）宋在赫公布了公司下一代产品路线图。

在2月11日于首尔江南区COEX举行的“SEMICON Korea 2026”主题演讲中，三星电子社长宋载赫表示：“随着人工智能从智能体人工智能（Agent AI）向物理人工智能（Physical AI）发展，我们预计工作负载（数据计算量）将大幅增加。三星电子正在开发能够显著降低内存带宽限制的技术。”

宋社长强调，三星电子是唯一一家涵盖存储器、晶圆代工（半导体代工制造）和封装的集成器件制造商（IDM），并表示：“我们计划展示三星半导体独有的强大协同优化能力。”他解释说，三星旨在通过涵盖设计、工艺、存储器和封装的集成解决方案，引领先进技术的发展。

宋总裁还介绍了下一代HBM架构“cHBM”和“zHBM”的研发进展，并指出“我们正在与客户沟通”。他分享了“三星定制HBM（cHBM）”的研发成果，并表示“我们正在研发定制HBM，通过主动采用芯片间接口IP，确保更高的带宽”。cHBM是一种专用集成电路（ASIC），旨在通过为AI半导体客户进行定制来最大限度地提高性能。

他继续说道：“更进一步，我们还在考虑‘三星定制 HBM’，它可以让基础芯片处理一部分原本由图形处理单元 (GPU) 负责的工作，”他强调说，“它的开发目标是在与定制 HBM 相同的功耗下，提供 2.8 倍的性能。”

关于 zHBM，他解释说：“为了使人工智能技术爆炸式发展，需要各种技术来倍增晶圆对晶圆键合，而不是芯片对芯片键合。”他还补充说，“这项技术将在物理人工智能时代所需的带宽和功率效率方面实现又一次重大创新。”

三星电子也在研发“光信号”封装技术，以提高人工智能数据中心中芯片间的连接速度。总裁宋先生表示：“三星的目标是通过整合器件、工艺、封装和设计，最大限度地提升客户价值。”他还补充道：“我们将满足人工智能时代爆炸式增长的需求。”

宋总裁还宣布了将“混合铜键合”（HCB）技术引入下一代HBM开发领域的计划。HCB是一种无需凸点（凸起）即可将芯片直接键合在一起的技术，被认为是下一代封装的关键。它可以通过减薄芯片厚度和缩短芯片间距，显著提高数据交换速度和电源效率。

宋总裁表示：“我们正在准备的结果表明，当HCB技术应用于12层和16层HBM时，与现有的热压键合（TCB）方法相比，可以将热阻降低20%以上，将基体温度降低12%以上。”他补充道：“我们不知道HCB何时会应用于实际的HBM业务，但我们正在努力使其成为最有效的选择。”

宋社长毫不掩饰他对HBM4的信心，三星电子将于本月第三周开始量产出货。他强调客户对HBM4的反响非常令人满意，并表示：“我们正在积极研发下一代HBM4E和HBM5技术，力争成为行业领导者。”

Semi 市场情报高级总监 Clark Tseng 在一次简报会上表示，人工智能领域创纪录的资本支出并不会自动转化为可用的供应。

曾先生表示：“我们看到资本投资达到了创纪录的水平，但单靠支出并不能解决瓶颈问题。真正的制约因素正在从晶圆开工转向良率、先进封装和认证时间表。”

据Semi预测，韩国芯片出口额在2025年将达到1734亿美元，较上年增长22.2%，其中12月份创下207亿美元的月度新高。对台湾的出口额激增64.8%，反映出韩国与人工智能加速器供应链的融合程度不断加深。

曾先生表示，预计到2027年，全球半导体收入和人工智能相关资本支出都将超过1万亿美元。晶圆厂产能预计将从每月2500万片晶圆扩大到2030年的约4500万片，而韩国在2026年至2028年间的年度晶圆厂投资预计将达到约400亿美元。

曾指出，内存和先进的封装技术已成为人工智能基础设施的系统级制约因素。

“内存和封装不再是辅助角色，”他说道，“它们现在对人工智能基础设施的扩展速度至关重要。”

花旗韩国研究部主管李世哲表示，下一波人工智能需求浪潮可能会逐渐从集中式云系统转向更加分布式、设备端的人工智能应用。他还补充说，混合键合等后端工艺技术正与前端晶圆制造一样，变得具有重要的战略意义。

（来源：编译自businesskorea）

*免责声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，半导体行业观察转载仅为了传达一种不同的观点，不代表半导体行业观察对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系半导体行业观察。

今天是《半导体行业观察》为您分享的第4316期内容，欢迎关注。

加星标⭐️第一时间看推送

求推荐