北京
英特尔的ZAM内存方案近期获得了广泛关注，英特尔出人意料地发布了该技术的原型机，并作出了前景广阔的承诺。
英特尔及其合作伙伴正研发Z型角内存，以解决现有方案的散热与计算限制
尽管英特尔已退出DRAM业务数十年，但该公司近期与软银子公司Saimemory携手，踏入了一个全新领域——推出名为Z型角内存（ZAM）的解决方案，旨在打破HBM的垄断地位。尽管，但英特尔显然加快了步伐，向全球展示了其原型机。
据日本媒体PCWatch报道，英特尔在2026年日本英特尔连接大会（Intel Connection Japan 2026）上，首次正式全面介绍了ZAM技术，其核心重点的是Z型角架构如何缓解现有解决方案面临的性能与散热限制。
英特尔院士、英特尔政府技术部门首席技术官约书亚·弗莱曼，以及英特尔日本公司首席执行官恩保诚出席了此次大会。在此之前，ZAM仅存在于研究论文和新闻稿中；而此次，英特尔迅速展示了原型机，并阐述了ZAM的未来发展方向。对于不了解该技术的人来说，这款内存解决方案的核心亮点的是采用了交错互连拓扑结构——该结构将裸片堆叠内部的连接线路设计为对角线分布，而非传统的垂直向下钻孔连接。据英特尔介绍，ZAM最大的优势体现在散热性能上。
目前，英特尔在ZAM项目中扮演的具体角色尚未明确界定，但根据大会上发布的营销资料显示，该公司将负责“初始投资与战略决策”。关于Z型角内存项目相较于HBM的具体表现，目前已有多项相关说法，但在初期讨论中，我们有望看到以下几方面的提升：
功耗降低40%-50%
通过Z型角互连简化制造流程
单芯片更高存储容量（最高512GB）
英特尔有望进军新市场，这一动态颇具看点。从项目发布会上核心高管的出席阵容不难看出，这款以内存为核心的项目，旨在进军HBM市场并参与竞争。
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