北京
国家知识产权局信息显示，无锡芯卓湖光半导体有限公司申请一项名为“离子注入工艺优化方法及装置、半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN121487508A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，公开了一种离子注入工艺优化方法及装置、半导体结构及其制备方法，离子注入工艺优化方法包括：获取当前晶圆在炉管设备中的当前位置，炉管设备中设置有多个晶圆，晶圆上形成有多晶硅层，当前晶圆为多个晶圆中在当前时刻下待进行离子注入处理的晶圆；根据当前位置和电阻偏差模型，确定当前晶圆的多晶硅层的电阻偏差，电阻偏差模型为在目标温度和目标气体流场下，晶圆的位置与电阻的对应关系；根据电阻偏差，确定当前晶圆在进行离子注入处理时的优化工艺参数，优化工艺参数用于弥补电阻偏差。本发明可以针对性地补偿炉管位置引起的电阻趋势，提高片间的电阻均匀性，无需修改LPCVD的炉管设备，降低了生产成本。
天眼查资料显示，无锡芯卓湖光半导体有限公司，成立于2023年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本10000万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡芯卓湖光半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目7次，专利信息60条，此外企业还拥有行政许可16个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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