北京
国家知识产权局信息显示，苏州芯聚半导体有限公司申请一项名为“一种去除MicroLED芯片背面残留镓的方法”的专利，公开号CN121487395A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本申请涉及半导体加工技术领域，公开了一种去除MicroLED芯片背面残留镓的方法，该方法包括：将激光剥离后的MicroLED芯片进行预处理；通过与皮秒激光束同轴布置的层流喷嘴，在所述芯片的残留镓层表面施加惰性气体层流；在所述惰性气体层流的持续作用下，采用皮秒激光束对所述残留镓层进行扫描以实现去除。本发明利用皮秒激光的冷加工特性实现对镓层的选择性去除并避免对芯片本体造成热损伤；同时，同轴的惰性气体层流能够将烧蚀产物即时吹离以防止再沉积污染，并能抑制激光烧蚀过程中产生的等离子体屏蔽效应以提高加工稳定性。本发明提供的方法具有去除选择性高、基底损伤低、加工后表面洁净度高及工艺稳定性好等有益效果。
天眼查资料显示，苏州芯聚半导体有限公司，成立于2020年，位于苏州市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本7328.17万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州芯聚半导体有限公司参与招投标项目11次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息49条，此外企业还拥有行政许可11个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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