国家知识产权局信息显示,杭州中欣晶圆半导体股份有限公司申请一项名为“一种提升硅片背面去蜡能力的方法”的专利,公开号CN121487521A,申请日期为2025年10月。
专利摘要显示,本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种提升硅片背面去蜡能力的方法,包括:一、兆声协同化学预处理,蜡残留高效活化;预处理液:制备DEA‑TMAH‑UPW混合液;兆声工艺:将硅片背面朝上置于兆声槽,加热至蜡熔融临界温度区间,处理8‑15 min;二、梯度清洗,去除蜡残留与金属杂质:UPW预清洗:三级溢流槽串联清洗之后SC1深度清洗;盐酸除金属:采用0.5%‑3%稀盐酸,常温浸泡3‑8 min,通过氯离子的螯合作用去除Fe、Cu等金属离子;三、终洗与干燥,保障表面洁净度;UPW终洗之后红外干燥,干燥前采用氮气吹扫去除表面水珠,避免水痕形成。
天眼查资料显示,杭州中欣晶圆半导体股份有限公司,成立于2017年,位于杭州市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本503225.6776万人民币。通过天眼查大数据分析,杭州中欣晶圆半导体股份有限公司共对外投资了6家企业,参与招投标项目42次,财产线索方面有商标信息5条,专利信息407条,此外企业还拥有行政许可22个。
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本文源自:市场资讯
作者:情报员
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