北京
国家知识产权局信息显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司申请一项名为“一种提升硅片背面去蜡能力的方法”的专利，公开号CN121487521A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种提升硅片背面去蜡能力的方法，包括：一、兆声协同化学预处理，蜡残留高效活化；预处理液：制备DEA‑TMAH‑UPW混合液；兆声工艺：将硅片背面朝上置于兆声槽，加热至蜡熔融临界温度区间，处理8‑15 min；二、梯度清洗，去除蜡残留与金属杂质：UPW预清洗：三级溢流槽串联清洗之后SC1深度清洗；盐酸除金属：采用0.5%‑3%稀盐酸，常温浸泡3‑8 min，通过氯离子的螯合作用去除Fe、Cu等金属离子；三、终洗与干燥，保障表面洁净度；UPW终洗之后红外干燥，干燥前采用氮气吹扫去除表面水珠，避免水痕形成。
天眼查资料显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司，成立于2017年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本503225.6776万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目42次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息407条，此外企业还拥有行政许可22个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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