北京
国家知识产权局信息显示，上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司申请一项名为“金属栅极结构及其制备方法”的专利，公开号CN121463516A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本发明提供了一种金属栅极结构及其制备方法，所述金属栅极结构的制备方法包括：提供衬底，其上具有P型栅极沟槽及N型栅极沟槽；依次形成第一金属阻挡层及铝层覆盖所述P型栅极沟槽及所述N型栅极沟槽的内壁；对所述铝层执行图形化工艺，去除所述P型栅极沟槽内壁的铝层；形成氮化钛层覆盖所述P型栅极沟槽及所述N型栅极沟槽的内壁，并执行退火工艺以使所述铝层中的铝原子扩散进入所述氮化钛层；形成第二金属阻挡层覆盖所述P型栅极沟槽及所述N型栅极沟槽的内壁；在所述P型栅极沟槽及所述N型栅极沟槽内填充形成栅极金属层，以分别形成P型栅极结构及N型栅极结构。本发明用于优化金属栅极结构的性能。
天眼查资料显示，上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1150000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司参与招投标项目80次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息598条，此外企业还拥有行政许可211个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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