北京
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国家知识产权局信息显示，ASM IP私人控股有限公司申请一项名为“形成含过渡金属的膜的方法、供给方法及气相沉积装置”的专利，公开号CN121451150A，申请日期为2019年2月。
专利摘要显示，公开了一种通过循环沉积工艺在衬底上形成含过渡金属的膜的方法。所述方法可包括：使衬底与第一气相反应物接触，所述第一气相反应物包含过渡金属卤化物化合物，所述过渡金属卤化物化合物包含二齿含氮加合物配体；以及使衬底与第二气相反应物接触。公开了一种向反应腔室供给包含二齿含氮配体的过渡金属卤化物化合物的方法及相关的气相沉积装置。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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