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国家知识产权局信息显示，索尼半导体解决方案公司申请一项名为“半导体装置、半导体装置的制造方法和光检测装置”的专利，公开号CN121464739A，申请日期为2024年6月。
专利摘要显示，一种半导体装置包括：沟槽，其从基板的第一面朝着与所述第一面相反的一侧的第二面被布置在所述基板中；第一绝缘栅极场效应晶体管，其布置于所述沟槽内的下部处，所述第一绝缘栅极场效应晶体管包括隔着第一栅极绝缘膜埋入在所述沟槽的侧壁上的第一栅极电极；侧壁绝缘体，其在所述沟槽内的上部处布置于所述沟槽的侧壁上，并且与所述第一栅极绝缘膜的厚度相比所述侧壁绝缘体的在同一方向上的厚度是更厚的；以及电极，其隔着所述侧壁绝缘体埋入在所述沟槽内的上部中，所述电极电连接至所述第一栅极电极。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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