北京
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国家知识产权局信息显示，三星半导体（中国）研究开发有限公司;三星电子株式会社申请一项名为“半导体封装件及其制造方法”的专利，公开号CN121463806A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，提供了半导体封装件及其制造方法。所述半导体封装件包括：第一封装件，包括第一基底和第一芯片；以及第二封装件，在第一封装件上并且包括第二基底、在第二基底的第一表面的中心区域中的第二芯片和在第二基底的第二表面的边缘区域中并且连接到第一基底的多个内部连接端子。第一基底包括凹陷部分，第一芯片以其有源表面朝下位于凹陷部分中，导热材料填充凹陷部分的剩余空间并且延伸到第一基底的第一表面上以覆盖多个内部连接端子。第一基底还包括：至少一个信号过孔，在与第一基底的第一表面垂直的第一方向上贯穿第一基底并且使半导体封装件与外部通信；以及至少一个散热沟槽，在第一方向上位于凹陷部分的下方并且使第一芯片的热量散发到外部。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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