北京
国家知识产权局信息显示，青岛澳柯玛云联信息技术有限公司申请一项名为“半导体装置及其形成方法”的专利，公开号CN121463518A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，本发明涉及一种半导体装置及其形成方法。所述半导体装置包括在衬底表面区域的中压器件形成区形成的第二栅极、栅极材料块、第一中压器件侧墙、第二中压器件侧墙、第二源区和第二漏区，其中，位于第二栅极侧面的栅极材料块、第一中压器件侧墙和第二中压器件侧墙构成中压器件的侧墙结构，利用该侧墙结构，可以使中压器件的侧墙厚度大于在低压器件形成区形成的低压器件的侧墙厚度，当低压器件侧墙为较薄厚度时，可以避免中压器件的侧墙太薄而产生较严重的GIDL漏电问题。此外第一中压器件侧墙可以形成为上宽下窄结构，有助于提高侧墙质量以及半导体装置的性能。
天眼查资料显示，青岛澳柯玛云联信息技术有限公司，成立于2020年，位于青岛市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本50000万人民币。通过天眼查大数据分析，青岛澳柯玛云联信息技术有限公司共对外投资了5家企业，专利信息104条，此外企业还拥有行政许可4个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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