北京
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国家知识产权局信息显示，铠侠股份有限公司申请一项名为“半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法”的专利，公开号CN121463453A，申请日期为2025年2月。
专利摘要显示，本公开的一个实施方式提供能够实现电气特性的提高的半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法。一个实施方式的半导体存储装置具备层叠体和柱状体。所述层叠体包括多个栅电极层和多个绝缘层。在将与所述第1方向交叉的方向设为第2方向，定义通过所述柱状体的所述第2方向的中央并在所述第1方向上延伸的假想的中心线的情况下，成为如下这样。所述柱状体包括存储膜、半导体膜以及绝缘部。所述绝缘部包括与多条第1选择栅极线相邻的第1绝缘部、和与至少一部分字线相邻的第2绝缘部。在对所述中心线与所述半导体膜之间的区域进行观察的情况下，所述第2绝缘部的所述第2方向的厚度比所述第1绝缘部的所述第2方向的厚度小。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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