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国家知识产权局信息显示，谷歌有限责任公司申请一项名为“在维持错误检测和纠正的同时减少用于纠错码的DRAM利用”的专利，公开号CN121455739A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本技术涉及包含动态随机存取存储器(DRAM)元件的存储器装置中的错误检测和纠正。DRAM元件被配置为在第一数量的元件中存储数据，在第二数量的元件中存储纠错码(ECC)信息，以及在第三数量的元件中存储纠错码。通过在释放的存储器空间中存储纠错码，诸如循环冗余码(CRC)，减少了分配给ECC的存储器的量，而不会不利地影响ECC能力。假设元件中的一个元件包含错误、然后使用ECC重新计算所选择的数据、重新计算CRC并将该CRC与原始CRC进行比较，来识别不可纠正错误的位置。匹配指示已经找到并纠正了故障的值。不匹配指示所选择的元件不是错误的位置。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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