HBM之父：HBF市场规模10年后将超越HBM 韩企主导

【CNMO科技消息】CNMO从韩媒获悉，在近日于韩国首尔举行的“HBF研究内容与技术开发战略说明会”上，被誉为“HBM之父”的韩国科学技术院（KAIST）教授金正浩（Kim Jeong-ho）指出，预计明年实现商业化的下一代NAND闪存产品——高带宽闪存（HBF），其市场规模将在大约10年后超越当前AI半导体的核心部件高带宽内存（HBM）。

金正浩（Kim Jeong-ho）

金教授强调，随着AI的思维与推理能力变得重要，以及从文本到语音界面的转变，所需的数据量将不可避免地爆炸性增长。他认为，如果说PC时代的核心是中央处理器（CPU），智能手机时代的关键是低功耗，那么AI时代的核心就是内存：“HBM决定速度，HBF决定容量”。

HBF是一种通过垂直堆叠主要用于长期存储的NAND闪存来显著增加容量的内存，类似于HBM的堆叠方式。随着AI智能体服务的扩展，充当长期记忆的“键-值”（KV）缓存内存作用日益凸显，过去由HBM承担的角色，正逐渐转向由NAND内存来担当。

在此次说明会上，金教授展示了利用HBF的下一代内存架构，例如在GPU两侧各搭载4个HBM和HBF，实现总计96GB HBM容量和2TB HBF容量的方案。他形象地比喻：“HBM将充当书架，而HBF将充当图书馆”，前者可立即取用所需资料，后者则能一次性容纳更多资料，尽管速度稍慢。

金教授预测，仅靠HBM无法应对爆炸性增长的需求，行业将不可避免地采用HBF。他进一步指出，当CPU、GPU和内存有机整合在单一基础芯片上的内存中心计算（MCC）架构完成时，所需的HBF数量将进一步增加，并预计HBF需求将从2038年起超越HBM。

目前，三星电子、SK海力士和闪迪等全球公司正在加速HBF开发。金教授认为，韩国公司占据更有利位置。因为闪迪仅专注于NAND闪存，而三星电子和SK海力士同时拥有HBM和先进封装能力。他表示：“韩国将能够在未来10-20年的结构性变革中引领AI计算机的发展，而其中的支柱正是HBF。”据悉，SK海力士正以明年量产为目标开发HBF。

金教授总结道：“HBF的制程与现有HBM制程极为相似，因此最终将成为一场技术速度的竞赛。而要实现全面商业化，哪些服务会采用它将是关键。”他主张，继HBM之后，韩国内存制造商也必须在HBF上掌握主动权，以免在AI市场中丧失影响力，一个以内存为中心的AI时代正在展开。