北京
国家知识产权局信息显示，深圳市智创谷技术有限公司申请一项名为“一种立式磁控溅射镀膜方法”的专利，公开号CN121428493A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明公开了一种立式磁控溅射镀膜方法，涉及磁控溅射镀膜技术领域，包括以下步骤：步骤S1、工件预处理与立式布置：对工件依次进行乙醇超声清洗、去离子水冲洗、干燥处理；步骤S2、溅射环境预处理：对装有工件的镀膜腔室抽真空至基础真空度，向镀膜腔室内通入氩气；步骤S3、多靶位交替磁控溅射，步骤S4、溅射过程多参数动态耦合调节，采用脉冲式溅射模式，实时监测腔室气压；步骤S5、镀膜后处理，完成交替溅射后，关闭所有靶位。本发明采用上述的一种立式磁控溅射镀膜方法，可有效解决现有技术中高尺寸工件镀膜均匀性差的问题，可避免高尺寸工件镀膜时的膜层连续性断裂风险。
天眼查资料显示，深圳市智创谷技术有限公司，成立于2015年，位于深圳市，是一家以从事通用设备制造业为主的企业。企业注册资本3000万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市智创谷技术有限公司专利信息24条，此外企业还拥有行政许可9个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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