杀入存储赛道？软银和英特尔携手：“低功耗版HBM”将于2029财年前商业化！

财联社2月3日讯（编辑 黄君芝）人工智能（AI）基础设施建设正助力掀起一轮存储“超级周期”，投资巨头和科技巨头正在争先布局这一赛道。软银集团周二表示，其子公司Saimemory已与英特尔公司达成合作，共同开发一种新型存储芯片技术。

据悉，双方已于当地时间2月2日签署合作协议，共同将ZAM（Z-Angle Memory）商业化。ZAM是一种具有高容量、高带宽和低功耗特性的下一代内存技术。

根据这项合作协议，Saimemory将借助英特尔的下一代DRAM（动态随机存取存储器）组装技术，并计划在至少2028年初之前完成原型产品的开发。更具体地说，Saimemory的目标是在2027财年创建原型，并在2029财年实现商业化。

软银在一份声明中表示，该技术的开发旨在用于人工智能数据中心。鉴于运行生成式人工智能模型需要强大的计算能力，高速内存是人工智能数据中心的关键组成部分。

“这项名为‘ZAM’的下一代存储技术，将为数据中心和其他需要大规模AI模型训练和推理处理的场所带来高容量、高带宽的数据处理能力、更高的处理性能以及更低的功耗。”软银写道。

当下，AI大模型训练算力需求正呈指数级增长，数据中心能耗问题已然成为行业痛点。传统HBM等高带宽内存虽可提升数据传输效率，但功耗问题始终难以攻克。例如，有数据显示，在谷歌的AI数据中心里，HBM内存单元的功耗占比高达35%，散热成本更是逐年攀升。

而软银与英特尔此次联手研发的新型AI内存芯片也正是瞄准这一行业瓶颈，此次合作也预示着AI硬件领域即将迎来一场能效层面的重大变革。

另据了解，Saimemory是软银于2024年12月成立的子公司，旨在推动下一代存储技术的研究与开发，并将其应用于实际应用。在去年有意与英特尔联手后，该公司在2025年年中进行了更名。它们最初以“Saimemory”为名，旨在打造出性能可与当前主流的HBM相媲美、但功耗却能降低一半以上的创新产品。

据早些时候的报道，软银作为此次合作的关键投资者，已决定初期投入30亿日元，成为最大的出资方。整个项目的预计总成本高达100亿日元（约合7000万美元）。但值得注意的是，一旦Saimemory的产品成功推向市场，软银将享有优先供货权。

另一方面，从英特尔的角度来看也具有重要意义。这一消息宣布之际，正值英特尔努力加强其芯片产品线，并试图在为人工智能领域提供产品方面赶上其竞争对手。

与此同时，这也标志着英特尔在存储器领域的一次重大回归。英特尔在2022年决定退出Optane存储业务，并将其NAND闪存业务出售给SK海力士，尽管当时仍保留了Optane相关的3D XPoint技术和专利。

分析人士指出，虽然Saimemory专注于DRAM技术，与Optane的非易失性存储技术路径不同，但英特尔在先进封装和芯片堆叠等领域的技术积累，将为Saimemory的研发提供有力支持。