国际存储巨头严防蓄意囤货 A股存储板块大幅回调

在国际存储巨头加强审查订单、防止蓄意囤积库存消息背景下，2月2日A股存储板块“变脸”，江波龙、兆易创新等龙头股罕见跌停，聚辰股份、普冉股份等大幅下跌。

原厂库存回落

据媒体报道，美光、SK海力士和三星电子已加强对客户订单的审查，防止蓄意囤积库存。这三家公司要求客户披露最终客户和订单量，以确保需求真实可靠，并防止超额预订或过度囤货，以免进一步扰乱市场。

全球存储芯片巨头采取罕见措施遏制客户囤货行为的背后，是巨头库存降至历史低位。

在三星电子2025年第四季度业绩说明会上，公司高管回复分析师提问中表示，考虑到当前库存处于极低水平，DRAM的位元出货量环比增幅预计将限制在低个位数区间；相比，闪存方面，受上一季度低位元出货量的基数效应影响，预计本季度位元出货量环比将实现中个位数增长。

财报显示，三星电子、SK海力士以及美光科技等最新财报业绩创新高的同时，存货均同比下降。

存储涨价松动

当前存储市场上涨价趋势出现松动迹象。

据美银最新报告显示，在连涨多个月之后，上周DRAM现货价格走弱，这也是该价格自2025年9月以来首次出现回调。美银指出，目前不好将这次回调定义为“产业反转”或是“硬着陆”的早期信号，但短期价格波动已开始反映终端成本。

随着DRAM现货价持续攀升，智能终端的DRAM成本占比已高于合理水准。据分析，DRAM现货与合约价格仍存在明显落差。一线OEM拿到的DRAM合约价格仍大致在每GB 10—20美元区间，远低于现货市场水准，现货价格后续可能朝合约价格回归。

不过，也有机构进一步上调了存储价格预期。

根据TrendForce集邦咨询调查，2026年第一季AI与数据中心需求持续加剧全球存储器供需失衡，原厂议价能力有增无减，因此全面上修第一季DRAM、NAND Flash各产品价格季成长幅度，其中，传统DRAM合约价将从一月初公布的季增55%—60%，改为上涨90%—95%，NAND Flash合约价则从季增33%—38%上调至55%—60%，并且不排除仍有进一步上修空间。

A股存储板块回调

在上述消息背景下，2月2日存储板块由涨转跌。Wind存储器指数下跌近8%，龙头股大幅回调，江波龙、深康佳、万润科技、深科技、兆易创新等跌停。

龙虎榜显示，深科技2月2日上榜营业部席位全天成交12.08亿元，占当日总成交金额比例为28.47%，其中机构合计净卖出1.24亿元。

另外，太极实业经历“天地板”，从1月30日涨停，到2月2日跌停，股价报收于10.1元/股。1月29日晚间，太极实业公告子公司海太半导体与SK海力士之间关联交易，其中，多项交易明细规模有望增加，包括SK海力士购买原材料金额将从2025年度300万美元增至2026年度600万美元。

受益于存储涨价，佰维存储、江波龙、德明利、联芸科技等国内多家存储厂商预计2025年度业绩大幅增长，但是终端客户成本承压，导致需求下调的风险始终“悬顶”。

Counterpoint机构指出，受存储成本上升的影响，2026年全球智能手机出货量预计年减少2.1%；另据TrendForce集邦咨询调查，全球笔记本、电脑品牌自2025年下半年起面临存储器价格显著上涨的压力，2026年初开始，又遭遇CPU阶段性供给缺口、价格调涨的压力，加上包括PCB、电池、电源管理IC等零部件成本同步上行，预估将导致2026年第一季全球笔电出货季减14.8%。