北京
国家知识产权局信息显示，北京集成电路装备创新中心有限公司申请一项名为“一种提升曝光关键尺寸窗口的工艺方法”的专利，公开号CN121442973A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本发明提供一种提升曝光关键尺寸窗口的工艺方法，涉及半导体技术领域。该工艺方法包括：提供层叠结构，所述层叠结构包括自下而上依次层叠设置的待刻蚀膜层、传递膜层和图形化的光刻胶层，所述传递膜层包括自下而上依次层叠设置的图形转移层和旋涂层；刻蚀所述传递膜层，自上而下依次刻蚀所述旋涂层和所述图形转移层，以露出所述待刻蚀膜层；其中，刻蚀所述旋涂层的过程中，工艺气体包括含氧气体和含硫气体，且形成自上向下呈缩口状的窗口图案。该工艺方法在提升曝光关键尺寸窗口的基础上，工艺流程简单，对工艺配合要求较低，且能够保证最终得到窗口图案的精确度。
天眼查资料显示，北京集成电路装备创新中心有限公司，成立于2019年，位于北京市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1113950万人民币。通过天眼查大数据分析，北京集成电路装备创新中心有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息114条，此外企业还拥有行政许可6个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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