算力航母：英特尔展示18A工艺AI芯片

来源：IT之家

IT之家 1 月 31 日消息，英特尔代工服务（Intel Foundry）本周发布技术文档，展示“AI 芯片测试载具”，用于验证其在先进封装领域的制造能力。

IT之家援引博文介绍，测试载具（Test Vehicle）并非是指最终上市销售的商品，而是为了验证制造工艺、设计思路是否可行而制造出来的“工程样机”，就像汽车厂商发布的概念车或测试车。

根据技术文档，该测试载具的系统级封装（SiP）拥有 8 倍光罩尺寸，内部集成了 4 个大型逻辑计算单元（Logic Tiles）、12 个 HBM4 级别的内存堆栈以及 2 个 I/O 单元。

值得注意的是，与上月展示的“16 逻辑单元 +24 内存堆栈”的概念模型不同，本次展示的方案代表了英特尔目前已实际具备的量产制造能力。

在核心工艺上，该测试平台的核心逻辑单元采用了英特尔最先进的 18A 工艺，集成了 RibbonFET 全环绕栅极晶体管和 PowerVia 背面供电技术。

在芯片互连方面，英特尔采用了 EMIB-T 2.5D 嵌入式桥接技术。通过在桥接器内部添加硅通孔（TSV），电力和信号不仅可以横向传输，还能实现垂直传输，从而最大化互连密度，设计支持高达 32 GT/s 的 UCIe 接口标准。

芯片堆叠方面，英特尔将利用 Foveros 3D 封装技术（包括 Foveros 2.5D、Foveros-R 和 Foveros Direct 3D）实现垂直堆叠芯粒（Chiplets），底层的 18A-PT 基础芯片（Base Dies）位于计算芯片下方，可充当大容量缓存或处理额外任务。

供电方面，英特尔将支持支持“Semi”集成电压调节器（IVR），并利用嵌入式同轴磁性电感器（CoaxMIL）和多层电容网络（如 Omni MIM），集成全套供电创新技术。

与台积电 CoWoS-L 将电压调节器置于中介层不同，英特尔将其置于每个堆栈及封装下方。这种设计旨在应对生成式 AI 负载产生的瞬时电流波动，确保在不损失电压余量的情况下提供清洁、稳定的电力。

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