北京
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国家知识产权局信息显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司申请一项名为“一种喷淋头、半导体器件的加工方法及设备”的专利，公开号CN121428528A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明提供了一种喷淋头、一种半导体器件的加工方法及加工设备。该喷淋头包括顶盖、喷淋板和接地罩。该喷淋板安装于反应腔室之上，并位于顶盖之下。该接地罩设于喷淋板与顶盖之间，并与顶盖保持一间距，其中，接地罩包括固定部和移动部，固定部固定连接喷淋板，移动部安装于固定部，并支持相对固定部上下移动，以调节其顶部到顶盖的间距。
天眼查资料显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司，成立于2023年，位于沈阳市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本50000万人民币。通过天眼查大数据分析，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司参与招投标项目26次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息461条，此外企业还拥有行政许可16个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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