北京
国家知识产权局信息显示，浙江朗德电子科技有限公司申请一项名为“一种双栅结构气体传感器及制备方法”的专利，公开号CN121431613A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本文提及一种双栅结构气体传感器及制备方法，该传感器包括由硅基衬底、埋氧层及硅半导体层组成的绝缘体上硅晶圆，硅半导体层刻蚀形成有多个彼此间隔的硅纳米线沟道及位于相邻硅纳米线沟道之间的沟槽，埋氧层的上表面刻蚀形成有空腔，空腔与沟槽连通。埋氧层上形成有栅极层，栅极层连续式填充于沟槽及空腔中，其中填充于空腔及多个沟槽内的栅极层彼此相连，栅极层的表面低于硅纳米线沟道的顶面。栅极层上形成有金属栅极，且金属栅极与栅极层电连接。硅纳米线沟道上形成有气敏栅结构，其中气敏栅结构与金属栅极形成双栅结构。本申请具有金属栅极能够增强气敏栅结构感应不同浓度的目标分子的灵敏度的效果。
天眼查资料显示，浙江朗德电子科技有限公司，成立于2014年，位于嘉兴市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1322万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江朗德电子科技有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目6次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息60条，此外企业还拥有行政许可3个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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