北京
国家知识产权局信息显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司申请一项名为“具有缩小整根硅单晶棒电阻率范围的硅单晶拉制方法”的专利，公开号CN121407221A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本发明涉及一种具有缩小整根硅单晶棒电阻率范围的硅单晶拉制方法，所属晶圆加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：在a坩埚中将固体硅料和掺杂剂一起全部融化成液体。第二步：在b坩埚中采用坩埚缓慢降低埚位，实现坩埚底部一部分液体从最底部缓慢凝固成固体。第三步：在c坩埚中坩埚缓慢降低停止后，进行引晶、放肩和等径操作。第四步：在d坩埚中等径生长阶段。第五步：在e坩埚中单晶棒持续生长。第六步：在f坩埚中通过收尾工艺完成硅单晶拉制。通过在拉晶前构建一个“高浓度熔体+低浓度固体”的初始状态，对主熔体的掺杂剂浓度进行实时、动态的稀释补偿，从而有效克服了传统直拉法因分凝效应导致的电阻率轴向不均匀性的固有缺陷。
天眼查资料显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司，成立于2017年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本503225.6776万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目42次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息400条，此外企业还拥有行政许可22个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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